GaN/AlGaN 高電子遷移率電晶體（HEMTs）因其在高頻與高功率應用中的重要性而備受關注。AlGaN/GaN 異質結構中的二維電子密度對於先進 HEMT 的設計至關重要。在本研究中，利用光激發螢光光譜（PLE）這種靈敏且非接觸式的光學技術，探討了 GaN/AlGaN HEMT 的電吸收現象。透過 PLE 中的史塔克效應（Stark effect），推導出 HEMT 中 GaN 與 AlGaN 層的內建電場。根據位移電場的不連續性，可以從 PLE 估算出異質結構中的二維電子密度，其結果與霍爾效應量測所得的數值一致。
