中原物理系沈志霖教授團隊於國際知名期刊Optics Express發表文章

經升頻光致發光激發 (UPLE) 光譜研究發現，生長於矽基板上之 AlGaN/GaN 高電子遷移率電晶體 (HEMTs) 具有上轉換發光特性。根據 UPLE 的溫度依賴性，3.335 eV 的激發峰歸因於 AlGaN/GaN 異質結構中的二維電子氣 (2DEG)。建議經由真實中間量子阱態之雙光子吸收過程，可導致 AlGaN/GaN HEMTs 中的上轉換發光。