中研學術大會 ─ 邁向分子與材料技術的新時代 主辦單位：中央研究院 活動期間：6/30 ~ 7/03 , 2025 活動報名及詳情請掃下方QR-code        

GaN/AlGaN 高電子遷移率電晶體（HEMTs）因其在高頻與高功率應用中的重要性而備受關注。AlGaN/GaN 異質結構中的二維電子密度對於先進 HEMT 的設計至關重要。在本研究中，利用光激發螢光光譜（PLE）這種靈敏且非接觸式的光學技術，探討了 GaN/AlGaN HEMT 的電吸收現象。透過 PLE 中的史塔克效應（Stark effect），推導出 HEMT 中 GaN 與 AlGaN 層的內建電場。根據位移電場的不連續性，可以從 PLE 估算出異質結構中的二維電子密度，其結果與霍爾效應量測所得的數值一致。    

114大學申請入學面試及物理系導覽活動 面試日期：114 年 5 月 17 日(星期六)、5 月 18 日(星期日) 面試順序及詳情：如圖片所述，詳情請掃左下方QR-code查詢 實驗室導覽時間：5月 17日 10：00及 14：00               

2025 大學生創意物理實作競賽 競賽邀約 邀請對物理有興趣的大學生 〈競賽內容〉物理實驗向關創作作品 〈組隊人數〉1-3人皆可 〈報名截止日期〉2025 年 10 月 31 日止 報名詳情請掃QRCode

全國量子井字棋大賽-中原初賽報名開始囉🥳！ 台灣物理學會與國立台灣科學教育館攜手舉辦 「量子井字棋大賽」，以慶祝 2025 國際量子科學技術年（量子力學誕生 100 週年）。本賽事將先進行地區賽，再由各地區冠軍晉級全國決賽！ 中原場次： 日期：3/29(六) 時間：13:30～17:00 地點：科學103室(地址：桃園市中壢區中北路200號) 地區賽選手將獲得好禮如下： 🉐參賽者辦法參賽證明 🉐前3️⃣名選手獲獎狀乙紙、精美量子棋套件 🉐地區賽冠軍晉級全國決賽，將補助來回台北科將館車資 全國決賽將獲得好禮如下： 🉐「量子科學與技術」紀念郵票小全張一份 得獎選手將獲得獎金如下： 冠軍：新台幣一萬元整 亞軍：新台幣六千元整 季軍：新台幣三千元整 殿軍：新台幣一千元整

2025 中原大學  OPEN DAY 時間：114 年 3 月 8 日(六)  13:00 ~ 16:00 活動內容：落點分析、院系講座                

【重要公告】 物理學系與美國兩間大學合作 美國 天普大學雙聯學位 美國 阿拉巴馬大學碩士獎學金 報名自即日起收件至 114/2/14 (五) 12:00 截止 歡迎有意願申請的同學們提交紙本申請至系辦! => 申請表格與相關說明資料下載: https://reurl.cc/G5gKj3 有任何問題歡迎至系辦詢問! 機會爭取得來不易，歡迎同學們踴躍報名!

時間: 113年11月13日(三)中午12:00~13:00 地點: 科學館3樓中庭

  經升頻光致發光激發 (UPLE) 光譜研究發現，生長於矽基板上之 AlGaN/GaN 高電子遷移率電晶體 (HEMTs) 具有上轉換發光特性。根據 UPLE 的溫度依賴性，3.335 eV 的激發峰歸因於 AlGaN/GaN 異質結構中的二維電子氣 (2DEG)。建議經由真實中間量子阱態之雙光子吸收過程，可導致 AlGaN/GaN HEMTs 中的上轉換發光。